磁阻原理角度传感器介绍与特点价格：

TMR（隧道磁电阻）是指一种发生在磁性隧道结（MTJ）中的磁电阻效应，是由两个薄绝缘体及其隔开的铁磁体所组成的组件，在绝缘层相当薄（通常为几奈米）的情况下，电子可以从一个铁磁体隧穿过去另一边，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化。磁电阻效应是磁阻式随机存取内存（MRAM）与硬盘中的磁性读写头的科学基础，也被应用于传感领域。虽然基于TMR技术的传感器相对较新，但它们已经进入了各种工业和汽车应用，这些应用都需要监控旋转机械结构，像是电机轴和旋钮的角度、速度和方向的位置传感，都是角度传感器的典型应用。由于磁性测量原理、高灵敏度和低噪声，TMR磁传感器非常适合应用于转向角测量、无刷直流（BLDC）电机中电机通信的转子位置测量，以及用于车轮速度测量的速度感应（ABS传感器）与带有方向信息的曲轴速度和位置感应。

由Crocus Technology所推出的磁传感器产品是基于其创新的XtremeSense® TMR技术，通过其特有CMOS平版印刷技术完整集成单片工艺，可在较宽的温度范围内实现高灵敏度、低噪声，这些磁传感器不仅具有高磁传感性能，还具备高温高可靠性，小尺寸、电流和热隔离、高频操作和低功耗等优点，提供出色的坚固性和稳定的性能，已经成为IoT领域和产业应用的理想检测解决方案。

TMR磁传感器是适用于低功耗、高灵敏度和极端温度的高精度传感器，由一个由介电势垒隔开的固定层和自由（传感）层所组成，通过传感电阻的变化来检测角度，如果外部磁场发生变化，则传感层的磁化强度会改变其大小和方向，这会导致MTJ电阻发生变化。但是，TMR角度传感器和TMR线性磁传感器之间存在一个重要区别，TMR磁传感器通常工作在TMR特性的线性范围内，而角度传感器则处于饱和区。换言之，传感层的磁化强度始终处于最大可能的幅度，并随着外部磁场角的变化而改变其方向矢量，这种方法的明显限制是角度传感器不能在低磁场下工作，典型角度传感器的工作磁场范围在25 mT和90 mT之间。

TMR效应的表现为材料堆叠（包括铁磁合金）的电阻变化，TMR堆栈的电阻与感应层和固定层之间的角度直接相关，因此通过检测电阻的变化，便可以进行角度的检测。TMR技术相较于其他技术具有许多优势，像是可进行全360°旋转辨别，且只对角度敏感，对外场强度不敏感，且因为采用了非接触式系统，因此不会产生机械磨损，可以远离灰尘和污染，也不受到机械振动的影响。