氮化镓功率器件为传感器阻力增长

氮化镓功率器件为传感器阻力增长

在全球追求产品效能的大背景下,传统硅功率半导体,正逐渐面临发展瓶颈,而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的氮化镓近几年成为众所瞩目的焦点。电源领域是目前氮化镓功率器件最大的应用市场,电源管理市场将迎来大变革时代。

氮化镓功率器件为传感器阻力增长

相比于传统半导体材料,氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有宽带隙、直接带隙、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点,在制作高温、大功率、高频和抗辐照电子器件方面具有得天独厚的优势。

 

和巨大的硅基半导体市场(2017年预计将突破4000亿美元大关)对比,氮化镓功率器件市场显得很小。

2011年氮化镓功率元件,全球市场只有原国际整流器公司(IR)(现已被Infineon 收购)与宜普电源转换(EPC)两家产品在售,应用市场主要在通讯和消费市场如服务器、交换机等,产值不到250万美元。而2015-2016年,氮化镓(GaN)功率器件市场一直保持增长势头,到2016年时,终端用户不仅可以从宜普电源转换公司购买到低压(小于200V)氮化镓器件,也可以从Transphorm、GaN Systems和Panasonic等公司购买到高压(600V / 650V)氮化镓器件。

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